RN2316(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
Deutsch
Artikelnummer: | RN2316(TE85L,F) |
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Hersteller / Marke: | |
Teil der Beschreibung.: | TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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3000+ | $0.0483 |
6000+ | $0.042 |
15000+ | $0.0357 |
30000+ | $0.0336 |
75000+ | $0.0315 |
150000+ | $0.028 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Transistor-Typ | PNP - Pre-Biased |
Supplier Device-Gehäuse | USM |
Serie | - |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 10 kOhms |
Widerstand - Basis (R1) | 4.7 kOhms |
Leistung - max | 100mW |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | SC-70, SOT-323 |
Andere Namen | RN2316(TE85LF) RN2316(TE85LF)-ND RN2316(TE85LF)TR RN2316TE85LF |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 16 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang | 200MHz |
detaillierte Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount USM |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 50 @ 10mA, 5V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100mA |
Basisteilenummer | RN231* |
RN2316(TE85L,F) Einzelheiten PDF [English] | RN2316(TE85L,F) PDF - EN.pdf |
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
TOSHIBA SOT323
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
CMC 47MH 600MA 2LN TH
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
COMMON MODE CHOKE 18MH 1A
COMMON MODE CHOKE 47MH 600MA
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() RN2316(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and Storage |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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